| 參數 | Specification | 參數 | Specification |
| Heating plate dimension | 290mmx350mm x6mm,MERSEN半導體用的石墨材質 | 工藝觀察窗 | 位於腔室頂蓋上方 |
| 加熱板上方空間高度 | 100mm | 腔室頂蓋 | 手動開關，氣動鎖 |
| 最高加熱溫度 | 450°C | 工藝氣路 | 1條氮氣氣路，配Horiba S500品質流量計與電磁閥 控制; 1條甲酸氣路，配Horiba S500品質流量計與 電磁閥控制，甲酸液面監控 |
| 熱電偶配置 | K型，1路控溫，2路測溫（可自由移動），1路過溫安全保護，共4路 | 控制系統 | Windows+PLC觸摸屏操控系統，圖形化操作介面， 自動recipe工藝配方程序編輯/管理/運行，工藝數據 採集/存儲/顯示，可查詢歷史工藝數據，分級使用者登 錄及許可權管理，安全互鎖保護設計及報警功能 |
| 加熱控制 | 13x1000W的紅外石英加熱燈陣列，PID控溫精度±0.5°C |
| 冷卻控制 | 雙向氮氣冷卻噴嘴陣列，位於加熱板下方 | 配有適合設備的迴圈冷水機 |
| 升溫速率 | 最高可達3°C/s | 輸入電源要求 | AC380V（3PH+N+ PE），50Hz，額定功率16kW（不含冷水機功率） |
| 降溫速率 | 平均0.85°C/s(450°C至80°C) | 工藝氣體入口壓力 | 1.5-2bar |
| Temp. uniformity | 優於±2.0%（加熱板邊緣20mm區域除外） | 冷卻氮氣入口壓力 | 3-6bar，峰值流量900L/min |
| 真空系統 | 乾式真空泵，腔室真空度優於0.05mbar，皮拉尼真空計，真空擋板閥等 | 壓縮空氣入口壓力 | 5-6bar，可用氮氣替代 |
